一、绝缘栅场效应管（IGFET）1. 增强型 NMOS 管的工作原理梳理2. 伏安特性与电流方程(1) 输出特性（漏极特性）(2) 增强型 NMOS 管的转移特性2. PMOS 管3. 耗尽型 NMOS 管4. 耗尽型 PMOS 管二、结型场效应管（JFET）管子梳理三、场效应管的主要参数直流参数交流参数极限参数例题
一、绝缘栅场效应管（IGFET）
1. 增强型 NMOS 管的工作原理
梳理
2. 伏安特性与电流方程
- 没有讨论输入特性，因为对于绝缘栅场效应管，输入电流
(1) 输出特性（漏极特性）
(2) 增强型 NMOS 管的转移特性
2. PMOS 管
- 总结：跟 NMOS 管刚好全部相反
3. 耗尽型 NMOS 管
前提条件：工作在恒流区
实际上，耗尽型和增强型的区别可以看作，增强型需要开启电压为正，耗尽型本来就开启，开启电压为负；也就是耗尽型就是增强型平移一下
4. 耗尽型 PMOS 管
- P沟道电流：s向d；N沟道电流：d向s
- 可正可负：耗尽型；要么正要么负：增强型
二、结型场效应管（JFET）
为了让栅极电流很小，从而减小热功率损耗
注：工作在恒流区
管子梳理
梳理
三、场效应管的主要参数
直流参数
交流参数
极限参数
例题
