3.1.1 PN结一、半导体材料及其电特性1. 本征半导体2. 杂质半导体3. 半导体中载流子的运动三、PN结的伏安特性1. 正向特性2. 反向特性3. 温度特性4. 击穿特性四、PN结电容3.1.2 半导体二极管一、二极管分类二、二极管的伏安特性与参数1. 伏安特性2. 硅二极管与锗二极管比较3. 二极管的主要参数4. 含二极管电路的分析与计算例题三、二极管基本应用电路分析举例1. 整流电路2. 限幅电路3. “与”门电路4. 低压稳压电路3.1.3 特种二极管一、稳压二极管例二、发光二极管三、光电二极管四、变容二极管五、肖特基二极管
3.1.1 PN结
一、半导体材料及其电特性
- 定义:导电性能介于导体与绝缘体之间的材料
- 影响半导体材料导电性能的因素:温度、纯度
1. 本征半导体
- 定义:半导体材料高度提纯后的导体称为本征半导体。其纯度为 以上,称为 纯净半导体 或 单晶体
2. 杂质半导体
- 电子型半导体或N型半导体:掺杂磷(P)、砷(As)等五价元素,电子为多子,空穴为少子
- 空穴型半导体或P型半导体:掺杂硼(B)、镓(Ga)等三价元素,空穴为多子,电子为少子
- 杂质半导体中,多子浓度由杂质的含量决定,少子浓度主要由温度决定。
3. 半导体中载流子的运动
- 漂移是电场,扩散是浓度
- 电压温度当量 要求记忆
- PN结的厚度的数量级:微米级 要求记忆
- 内电场由多子的扩散运动引起,极性由N区指向P区
- 内电场的影响:
- 阻碍多子的扩散运动
- 促进少子的漂移运动
- 正偏PN结(P正N负):
- 多子的扩散运动增强,少子的漂移运动削弱;
- 正向电流近似为多子的扩散电流;
- 反偏PN结(P负N正 ):
- 多子的扩散运动削弱,少子的漂移运动增强;
- 反向电流主要是漂移电流,但因为少子浓度很低,通常可忽略;
- 一定温度下,热激发产生的少子浓度一定,与外加电压无关,因此又称反向饱和电流。
三、PN结的伏安特性
1. 正向特性
2. 反向特性
- 数量级要求记忆:
3. 温度特性
- PN结正向电压具有负温度系数
4. 击穿特性
- 电击穿是可逆的,热击穿是不可逆的,意味着元件损坏
四、PN结电容
- 数量级(要求记忆):几十
3.1.2 半导体二极管
一、二极管分类
二、二极管的伏安特性与参数
1. 伏安特性
- 注意:开启电压 导通电压
2. 硅二极管与锗二极管比较
3. 二极管的主要参数
4. 含二极管电路的分析与计算
- 如果只含有一个二极管,可以把这个二极管单独拎出来,其余部分进行戴维宁等效
- 注意,这里的电源负号并非表示电源,而是表示这里的二极管是恒压降
- 在高频下,无法将二极管用作开关,因为导通时载流子运动需要时间
例题
- 注:由于正弦交流电源较大,故二极管压降在这里忽略不计
已知二极管为理想二极管,输入电压为正弦波信号,请画出输出电压波形
三、二极管基本应用电路分析举例
1. 整流电路
2. 限幅电路
3. “与”门电路
4. 低压稳压电路
- 可以看出, 越小,输入变化 引起的输出变化 的变化就越小
3.1.3 特种二极管
一、稳压二极管
要求重点掌握
- 稳压二极管工作在反向电击穿区
- 若负载较重(如短路时),通过稳压二极管的电流小于最小击穿电流,稳压二极管将失去作用
例
- 当 由开路变化到 时, 仅减小了 ,并且 愈小, 的变化也愈小,这反映了稳压电路的基本性能
二、发光二极管
仅作了解
三、光电二极管
四、变容二极管
五、肖特基二极管
- 需要了解:
- 导通电压较低(0.4V左右)
- 开关速度非常快,适用于高频场合